EL3nSE 제작 [9] 초단 3극 결선으로 변경 및 NFB 적용

전체적으로 증폭률이 높아서 방장님, 저문엉아 [김광호]님, [윤용택]님의 조언을 종합해서 오늘 작업을 진행했습니다. 볼륨 민감도가 높은 상태입니다.

일단 초단의 5극 결선을 3극으로 변경해서 초단의 전압증폭율을 낮추고 적정한 NFB를 적용하는 겁니다.

3극 결선으로의 변경은 크게 어렵지 않습니다.

아래 사진의 필름 캐패시터 (0.47uf/630V)와 연두색 와트저항 (390K) 를 제거 하고 스크린 그리드(소켓 1번)와 플레이트(소켓 6번)을 점퍼로 연결해서 쇼트시키면 됩니다.

먼저 필름 캐패시터와 390K 저항을 제거 합니다.

검정색 테프론선으로 스크린 그리드와 플레이트를 쇼트시킵니다.

3극 결선으로 바꾸는 훨씬 공간에 여유가 있네요.^^

NFB는 카페의 여러 글들을 검색해서 조합한 후에 제 맘대로 계산을 했습니다.^^ 아이폰의 계산기 공학모드는 처음 사용해 보네요. Log 계산 때문에…^^

여러 NFB 저항값을 넣어서 계산을 했습니다.

초단 증폭률: 60 출력관 증폭률: 25 NFB 저항: 12K

20 x log (1 + (60 x 25) / 20.91 /121)) = -4.04db

초단 게인 = 27.63 출력단게인 = 50

1) NFB 저항이 12K 라면 NFB 저항 비율 1/121

20 x log (1 + (27.63 x 50 / 20.91 / 121) = -3.78 db

2) NFB 저항이 5.6K 라면 NFB 저항 비율 1/57

20 x log (1 + (27.63 x 50 / 20.91 / 57) = -6.6 db

계산 해 놓고 보니 완전 홍콩 수학이네요.ㅠㅠ

일단 12K 저항을 NFB로 사용했습니다.

3극 결선을 적용한 회로도와 전압 측정 결과입니다.

홍콩 수학인데도 불구하고 몇 곡 들어 보니 좋습니다.^^

게인은 좀 줄어들었습니다. 입력에 스마트폰을 사용하면 적당한 정도입니다. OP단이 있는 TDA1541을 소스로 사용하면 아직도 게인이 좀 높은편입니다.

EL3nSE 카테고리 내 다른 글 보러가기